當前位置:青島佳鼎分析儀器有限公司>>沉積設備>> 熱ALD設備 AL-1無針孔薄膜沉積設備
Canon Anelva二手物理氣相沉積PVD設備FC7100
AL-1通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑,僅利用表面反應沉積薄膜,實現了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數量級。此外,可以在高寬比的孔內壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜??赏瑫r沉積3片?4英寸的晶片。
通過提供幾十毫秒量級的脈沖,減少了原材料的損耗,提高了沉積效率。
通過緊貼反應室內壁的內壁加熱器,抑制反應室的溫度不均勻,可獲得清潔的真空。
由于多種前驅體在反應室中沒有混合,因此可以防止顆粒,形成無針孔的薄膜。
用于下一代功率器件的柵極氧化膜和鈍化膜。
在3D結構上形成均勻的薄膜,如MEMS。
激光表面的沉積
碳納米管的鈍化膜
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