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KRI 離子源應用于超高真空電子束蒸鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源簡介 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應用于磁控共濺鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應用于電子束蒸鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 射頻離子源應用于多層膜磁控濺鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應用于金屬熱蒸鍍設備 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRi 離子源應用于車載攝像頭鏡片鍍膜工藝 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRi射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-07-03 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 BCx 薄膜 詳細摘要： 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結構特征、力學性能和摩擦磨損性能試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源鍍制氣體傳感器WO3薄膜 詳細摘要： 某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規(guī)則的納米結構 WO3 薄膜, 經(jīng)過對比選擇, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積納米純 Ti 薄膜 詳細摘要： 純 Ti 薄膜具有優(yōu)異的力學性能、熱穩(wěn)定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨損性, 被廣泛應用于航空航天、科研、光學和微電子器件等領域, 因此具有重要的研究價值.
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 MoN 薄膜 詳細摘要： MoN薄膜是一種具有潛在應用價值的薄膜材料, 但對于其結構和性能的研究還較少. 因此，廣州某研究機構采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 ...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼離子源成功用于多靶磁控濺射鍍膜機 詳細摘要： 某 OEM 廠商為了提高鍍膜機鍍膜的品質, 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積鈦金屬薄膜 詳細摘要： 鈦金屬具有許多優(yōu)異的性能, 例如低密度/ 高熔點/ 耐腐蝕/ 無磁性和硅基襯底結合力好/ 具有形狀記憶和吸氫特性等, 因此對于磁控濺射沉積鈦薄膜的研究有很多.
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源鍍制紅外器件 ZnS 薄膜 詳細摘要： 某半導體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射沉積設備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積半導體IGZO薄膜 詳細摘要： 河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜.
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積ZnNi合金薄膜 詳細摘要： 沈陽某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對其成分及表...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源制備IFBA 芯塊ZrB2 涂層 詳細摘要： 某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層.
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-06-05 參考價：¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源制備 NGZO 薄膜 詳細摘要： 上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時間：2023-05-30 參考價：¥ 300000 在線留言