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KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 VO2 薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備 VO2 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源應(yīng)用于 AlTiN 涂層研究 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射制備堵片傳感器薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射制備堵片傳感器薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射制備堵片傳感器薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射制備類金剛石Ta-C涂層 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助磁控濺射沉積Cu-W 膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積 Cu-W 膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于濺射沉積 ZrN 薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 用于鋁表面濺射沉積 ZrN 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于濺射沉積硅片金屬薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于復(fù)合磁控濺射沉積裝置
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于復(fù)合磁控濺射沉積裝置 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于復(fù)合磁控濺射沉積裝置
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射沉積 NSN70 隔熱膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 NSN70 隔熱膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積制備碳薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積制備碳薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI考夫曼離子源離子束里的電荷與動(dòng)能交換 詳細(xì)摘要: KRI 美國考夫曼離子源離子束里的電荷與動(dòng)能交換
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
上海伯東真空設(shè)備在真空鍍膜行業(yè)應(yīng)用 詳細(xì)摘要: 上海伯東 Hakuto 真空設(shè)備在真空鍍膜行業(yè)應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD應(yīng)用 詳細(xì)摘要: 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRi考夫曼離子源表面預(yù)清潔應(yīng)用 詳細(xì)摘要: KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用 詳細(xì)摘要: KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRi 離子源電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用 詳細(xì)摘要: KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
美國 KRi 離子源常見工藝應(yīng)用 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRi 射頻離子源應(yīng)用于國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機(jī) 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備 OLED 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言