高品質(zhì)大面積光學(xué)薄膜沉積系統(tǒng)1.主腔體：圓柱形304不銹鋼、長方形前門、2個觀察窗口、大約1000L2.真空系統(tǒng)：螺旋泵80m3/h+低溫泵10,000l/s(N2)3.離子源：RF耦合（2MHz）,filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣束徑100mm

詳細(xì)介紹

高品質(zhì)大面積光學(xué)薄膜沉積系統(tǒng)

1. 主腔體：圓柱形304不銹鋼、長方形前門、2個觀察窗口、大約1000L

2. 真空系統(tǒng)：螺旋泵80m³/h+低溫泵10,000 l/s (N₂)

3. 離子源：RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣

束徑100mm，電流＞200mA，電子能量1-2 KeV

工藝氣體：4個流量控制機(jī)，用于氧氣、稀有氣體

Ar等離子體，電子束流500mA

3a. 離子源升級：代替標(biāo)準(zhǔn)離子源（3）

RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于惰性氣體和氧氣

束徑150mm，電流大于500mA，電子能量大于1 KeV

工藝氣體：4個流量控制器，用于氧氣、稀有氣體等

Ar等離子體，電子束流900mA

3b. 輔助離子源：RF耦合（2MHz）, filament-free離子源用于Ar和氧氣

工藝氣體：2個流量控制器，氧氣和稀有氣體

束徑100mm，離子能量200-1000 eV，束流0-200mA

4. 靶 400m×200mm （標(biāo)準(zhǔn)3）；400mm×250mm（選項(xiàng)3a）

標(biāo)準(zhǔn)材料：Ta＞99.998%，Si＞99.999%

4a. 可選靶 200mm×200mm 或200mm×250mm

材料：Nb>99.95%, HfO₂>99.99%, Al>99.999%, Ti>99.99%

更高純度或其他材料可以提要求

5 樣品臺 平面、真空兼容Al樣品臺

Bottom-up coating 法

沉積區(qū)域直徑200mm（標(biāo)準(zhǔn)3）、沉積區(qū)域直徑350mm（選項(xiàng)3a）

旋轉(zhuǎn)速度0-120rpm

5a. Load Lock可選

直徑400mm，加載重量5kg

螺旋泵+分子泵抽高真空

手動加載，自動送樣

5b. 襯底加熱可選

石英加熱器，最小功率1.6KW，襯底溫度280℃

采用熱電偶控溫

6. OMS 波長范圍380-1050nm

波長分辨率2nm

測量誤差補(bǔ)償＜0.2%

測量誤差噪音<1%峰值（@650nm）

全自動控制

積分時間：2ms

6a. DUV可選 DUV延長寬波段OMS

波長范圍230-380nm

波長分辨率2nm

測量誤差補(bǔ)償＜2%

測量誤差噪音<1%峰值（@350nm）

積分時間：10ms

6b. IR可選波長范圍900-1700nm

波長分辨率5nm

測量誤差補(bǔ)償＜2%

測量噪音<1%峰值（@1200nm）

積分時間：12ms

7 系統(tǒng)性能表現(xiàn)：

真空度 基準(zhǔn)真空度＜3×10^-7mbar

工作氣壓＜1×10^-3mbar

標(biāo)準(zhǔn)靶 沉積速率0.15nm/s (Ta₂O₅, SiO₂) @200mm直徑（標(biāo)準(zhǔn)3）

沉積速率0.15nm/s (Ta₂O₅, SiO₂) @350mm直徑(3a選項(xiàng))

薄膜均勻性 優(yōu)于±1%@<直徑200mm（標(biāo)準(zhǔn)3）

優(yōu)于±1%@<直徑350mm（選項(xiàng)3a）

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