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圖 5.28 晶體中點(diǎn)缺陷示意圖 除上述幾類缺陷外，實(shí)際應(yīng)用的固體往往是多晶體。它是由許多微小的單晶體所組成的，而這些單晶體在堆砌時晶面常出現(xiàn)相互傾斜，這樣就使得在實(shí)際晶體中，不能實(shí)現(xiàn)格點(diǎn)嚴(yán)格的周期性排列，也就是說結(jié)構(gòu)上偏離了理 想晶體。

    圖 5.29 晶體中線缺陷示意圖 總之在實(shí)際晶體中存在著各種缺陷。由于晶體的缺陷引起格點(diǎn)發(fā)生畸變，使正常晶體結(jié)構(gòu)受到一定程度的破壞或攪亂，從而導(dǎo)致晶體的某些性質(zhì)發(fā)生變化。例如，由于缺陷使格點(diǎn)發(fā)生畸變，一般將引起機(jī)械強(qiáng)度的降低。 同時對晶體的韌性、脆性等性能也會產(chǎn)生顯著的影響。但當(dāng)大量的位錯(線缺 陷)存在時，由于位錯之間的相互作用，阻礙位錯運(yùn)動，也會提高晶體的強(qiáng)度。 此外，晶體的導(dǎo)電性與缺陷密切相關(guān)。例如，離子晶體在電場的作用下，離 子會通過缺陷的空位而移動，從而提高了離子晶體的電導(dǎo)率；對于金屬晶體 來說，由于缺陷引起晶格畸變而使電阻率增大，導(dǎo)電性能降低；對于作半導(dǎo) 體材料的固體而言，晶體的某些缺陷將會增加半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。