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 過渡型晶體中微粒間往往不只存在單一的作用力，所以這類晶體，有時 也稱為混合型晶體。

    在實際晶體中，大都存在著結(jié)構(gòu)的缺陷，致使實際晶體偏離了理想晶體。 晶體缺陷通常有點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。

    在晶體中，構(gòu)成晶體的微粒在其平衡位置上作熱振動，當溫度升高時， 微粒獲得足夠能量使振幅增大，可脫離原來的位置而“逃脫”，這樣在晶格 中便出現(xiàn)空缺[見圖 5.28(a)中的 M 處]。另一方面，從晶格中脫落的粒子又 可進入晶格的空隙，形成間隙粒子，這類缺陷在實際晶體中較普遍存在。此 外，在晶體中某些格點的位置能被雜質(zhì)原子所取代，這樣就使具有規(guī)整的格 點便出現(xiàn)了無序的排列， 5.28(b)、(c)所示。上述三種缺陷都屬于點缺 陷。在晶格中出現(xiàn)線狀格點的短缺或錯亂的現(xiàn)象叫做線缺陷， 5.29 所 示。線缺陷又稱位錯。所謂位錯即是晶格的某一部分相對于另一部分發(fā)生了 位移。如果將點缺陷和線缺陷推及平面和空間即構(gòu)成面缺陷和體缺陷。面缺 陷主要指格點中缺少一層粒子而形成了“層錯”現(xiàn)象；體缺陷則指完整的格 點中存在著空洞或包裹物。