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山東全偉環(huán)保水處理設(shè)備有限公司

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濰坊衛(wèi)生院污水處理設(shè)備廠家*

參   考   價: ¥ 10000

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號:全偉環(huán)保

品       牌:

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:濰坊市

更新時間:2020-07-14 17:24:53瀏覽次數(shù):130

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濰坊衛(wèi)生院污水處理設(shè)備廠家*,污水首*入?yún)捬醭嘏c回流污泥混合,在兼性厭氧發(fā)酵菌的作用下,廢水中易生物降解的大分子有機物轉(zhuǎn)化為聚磷菌可以吸收小分子有機物(如VFA),并以PHB的形式貯存在體內(nèi),其所需的能量來自聚磷鏈的分解。生物接觸氧化工藝,可以有效去除高鹽有機廢水中的COD。經(jīng)過相關(guān)分析得知,進水中COD波動較大,而經(jīng)過處理之后,出水COD濃度均可以降低至每升45毫克以下。

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生物接觸氧化工藝,可以有效去除高鹽有機廢水中的COD。經(jīng)過相關(guān)分析得知,進水中COD波動較大,而經(jīng)過處理之后,出水COD濃度均可以降低至每升45毫克以下;COD平均濃度僅達到每升42毫克,COD去除率超出了93%。這就表明,對污泥內(nèi)的有機物,生物接觸氧化工藝的處理,具有運行成效優(yōu)、流程穩(wěn)定的特性。氧化處理池可適應(yīng)高鹽態(tài)勢下的體系環(huán)境。
通常來看,慣用的生化法,無法處理高鹽有機廢水。其原因主要是:生化處理體系降低了污泥活性;絮狀累積污泥慢慢解體,留存的生物難以存續(xù)。生物接觸氧化工藝可有效降低污水中的鹽濃度,基本可以控制在4.3%以下;平均情形之下的鹽度,也被縮減直至3.7%。這種情形下,COD去除效率可以保持較高的水準(zhǔn)。
經(jīng)過*運轉(zhuǎn),生物膜原有的耐鹽特性,也在逐漸遞增,能與高鹽特性的水質(zhì)契合。生物接觸氧化工藝可以有效提高原有的耐受特性。經(jīng)由接觸氧化處理之后,生物膜并不會凸顯出絮狀分解的傾向。而普通處理得到的活性污泥,常會使測定好的鹽度數(shù)值發(fā)生改變,鹽度更替造成絮狀漂移。除此以外,生物接觸氧化工藝排放的污泥比較少;污泥沉降特性也超出普通處理工藝。這樣做,就化解了沉降中的難題。

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接觸氧化池的施工事項包括池體的建造、填料的安裝和曝氣系統(tǒng)的布置。
(1) 池體建造:單戶或多戶污水處理時,池體容積小,可采用熱塑性復(fù)合材料、PVC塑料材料、玻璃鋼等材質(zhì),板的厚度應(yīng)在10mm以上,若板較高,較長,則板中間需進行加固處理,以防池體裝滿水后池體*向外凸出導(dǎo)致終破裂;村落污水處理時,池體容積大,為安全考慮,宜采用現(xiàn)場鋼筋混凝土澆注;也可采用設(shè)備現(xiàn)場安裝。
(2) 填料安裝:填料安裝需搭建支架,支架材料要能抗腐蝕,支架應(yīng)根據(jù)待安裝的填料的體積和重量進行結(jié)構(gòu)設(shè)計,保證其結(jié)構(gòu)可靠性和穩(wěn)定的承載能力;填料的安裝有一定的要求,需疏密適中,單戶或多戶污水處理時,其具體安裝參數(shù)可咨詢環(huán)保工程師或填料供貨方;村落污水處理時,其安裝的參數(shù)應(yīng)由有資質(zhì)的設(shè)計院進行專業(yè)計算設(shè)計方可施工。
(3) 曝氣裝置:單戶或多戶小型接觸氧化池的曝氣裝置較為簡單,可采取市售養(yǎng)魚缸的曝氣泵和曝氣頭進行充氧即可;村落污水處理接觸氧化池池體較大時,其曝氣裝置的安裝應(yīng)在專業(yè)設(shè)計后請專門的施工隊進行,其安裝既要考慮曝氣量,又要考慮曝氣的均勻性。此外,曝氣設(shè)備如鼓風(fēng)機或曝氣泵需考慮其噪聲對環(huán)境的影響,若建設(shè)在環(huán)境要求很安靜的地方,需對其進行降噪處理。

在二級反滲透入口設(shè)置了加堿系統(tǒng),投加的堿液為質(zhì)量分數(shù)20%的NaOH,質(zhì)量濃度過高pH 不好調(diào)節(jié),控制二級反滲透入口pH 為8.3 左右。主要有以下兩個目的:,由于反滲透膜對水中CO2的透過率幾乎為100%,而從碳酸的電離度與水中pH的關(guān)系中可見,當(dāng)pH 約為8.3 時溶液中幾乎只含有HCO3-,這樣HCO3-通過反滲透系統(tǒng)全部去除,間接實現(xiàn)了去除CO2的目的,提高反滲透的脫鹽率。第二,當(dāng)pH <8 時,溶解硅以硅酸的形式存在,如硅酸的濃度超過其溶解度,硅將沉積出來;當(dāng)水的pH>8時,硅的溶解度增加,此時,硅酸電離為硅酸根SiO32-,為防止硅在膜表面沉積,需保證二級反滲透進水pH 在8.0 以上。

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